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Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
Tabata, A.; Martini, S.; Quivy, A. A.; Ceschin, Artemis Marti; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Tese (Doutorado)
Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' (1992)
Ceschin, Artemis Marti; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CESCHIN, Artemis Marti. Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS'. 1992. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1992. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Ceschin, A. M. (1992). Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/
NLM
Ceschin AM. Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' [Internet]. 1992 ;[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/
Vancouver
Ceschin AM. Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' [Internet]. 1992 ;[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/
Dissertação (Mestrado)
Sistema para epitaxia por feixe molecular (1988)
Ceschin, Artemis Marti; Basso, Heitor Cury (Orientador)
Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CESCHIN, Artemis Marti. Sistema para epitaxia por feixe molecular. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1988. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-27032015-145656/. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Ceschin, A. M. (1988). Sistema para epitaxia por feixe molecular (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-27032015-145656/
NLM
Ceschin AM. Sistema para epitaxia por feixe molecular [Internet]. 1988 ;[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-27032015-145656/
Vancouver
Ceschin AM. Sistema para epitaxia por feixe molecular [Internet]. 1988 ;[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-27032015-145656/

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